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让GaN更具实用性


作者:新电子    时间:2019/10/18 23:29:22  来源:新电子   

“GaN晶体管优于硅晶体管,他的电源的效率更高、温度更低尺寸更小,并且率先实现了大功率电源的无散热片设计” PI资深技术培训经理阎金光(JASON YAN)介绍说,“2018年的PIGaN产品就已经投入市场,目前来看安全性得到了充分验证,没有一颗料失效返厂,我们相信GaN代表着未来,尤其是等OEM厂商认识到GaN的安全性,高效性之后,一定会有更大的增长空间。目前,包括Anker、Aukey、Ravpower等多家公司均已采用了PI的PowiGaN方案,而无一例外,所有配件厂都将GaN技术作为产品的主要卖点之一。”
 

 

图片来源:PI 

PI PowiGaN器件可提供更多功率

皇冠世界杯据悉,PI推出的InnoSwitch™3(CE/CP/Pro)IC产品系列与LYTSwitch™-6 IC利用PI的PowiGaN开关技术都实现了100W以上的输出功率,其中,功率器件皆采用了GaN开关技术,使得电源效率更高、温升效果更低、尺寸更小,并且在较大输出功率的电源应用当中实现了无散热片的设计。目前采用内部集成GaN开关的InnoSwitch系列产品能实现95%的满载效率,首次实现在无需散热片的密闭适配器工作环境下达到100 W的功率输出。

 

PI推出LYTSwitch-6系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员,适合智能照明应用的大功率密度器件。LYTSwitch-6产品系列的新器件仍保留了快速动态响应等优势,可为并联LED灯串提供优异的交叉调整率,并且无需额外的二次稳压电路,同时还支持无闪烁系统工作。这些优势可以保证更加易于实现使用脉宽调制(PWM)接口的调光应用。

 

皇冠世界杯“我们的导通电阻更小,开关损耗更低,与InnoSwitch-3硅晶体管的工作方式相比无明显区别,生产工艺由PI开发和维护与已经拥有的合作伙伴协同工作,业内先进的GaN认证过程。”JASON强调,“GaN晶体管技术是功率变换领域的未来,我们的策略是将PowiGaN器件封装在我们的IC内部并对其开关工作提供可靠的保护。工程师可以看到显著的性能优势,但其他方面的变化并不明显。”

 

简单的反激式电路拓扑结构,无论采用硅晶体管的还是采用PowiGaN开关的InnoSwitch3 IC,均使用相同的开关电源设计流程,相同的开关频率,根据输出功率的不同选取相应的外部电路元件,开关波形极为相似,无异常的电路特性表现及增加特别的设计考量。EMI 标准技术考量,ESD与硅器件相比没有区别,GaN增加了InnoSwitch3的效率和输出功率,GaN开关极大地降低了损耗。寄生电容的大小与MOSFET的大小成比例,更大的MOSFET= 更多的开关损耗。同时,更低的RDS(ON) 意味着更低的导通损耗。

 

正是因为GaN的效率足够高,因此可以节省散热片设计,从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计,十分适合对体积、效率和寿命都有要求的场合。包括非原装USB PD适配器,高端手机充电器和其他移动设备,笔记本适配器。此外还有一些希望采用InnoSwitch系列产品,但是又需要更高功率输出的场合都是PowiGaN产品应用的市场。例如家电、电视机、服务器待机电源、一体机电脑、视频游戏机。应用所要求的特点都受益于InnoSwitch的产品特性,但需要更高的输出功率。

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